SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
SIA439EDJ-T1-GE3 P1
SIA439EDJ-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SIA439EDJ-T1-GE3

Parça numarası
SIA439EDJ-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SIA439EDJ-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SIA439EDJ-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi P-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 20V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 28A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69nC @ 8V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 10V
Vgs (Maks.) ±8V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Çalışma sıcaklığı -50°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Durum PowerPAK® SC-70-6

ilgili ürünler

Tüm ürünler