SI7882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SI7882DP-T1-GE3 P1
SI7882DP-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI7882DP-T1-GE3

Parça numarası
SI7882DP-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI7882DP-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI7882DP-T1-GE3
Parça Durumu Obsolete
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 12V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 13A (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Maks.) ±8V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 1.9W (Ta)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PowerPAK® SO-8
Paket / Durum PowerPAK® SO-8

ilgili ürünler

Tüm ürünler