Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI7846DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 150V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 4A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 1.9W (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Durum | PowerPAK® SO-8 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI7840BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7840BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7842DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7842DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7844DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7846DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7846DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7848BDP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 15000 | ayrıntılar |
 |
SI7848BDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI7848DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8 | 0 | ayrıntılar |