SI5920DC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
SI5920DC-T1-GE3 P1
SI5920DC-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI5920DC-T1-GE3

Parça numarası
SI5920DC-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI5920DC-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI5920DC-T1-GE3
Parça Durumu Obsolete
FET Tipi 2 N-Channel (Dual)
FET Özelliği Logic Level Gate
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 8V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 4A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 4V
Maksimum güç 3.12W
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum 8-SMD, Flat Lead
Tedarikçi Aygıt Paketi 1206-8 ChipFET™

ilgili ürünler

Tüm ürünler