Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI5471DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 6A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2945pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±12V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 1206-8 ChipFET™ |
| Paket / Durum | 8-SMD, Flat Lead |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI5471DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 | - | 24000 | ayrıntılar |
 |
SI5473DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5473DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5475BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5475BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5475DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5475DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5475DDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5476DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI5476DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET | - | 3000 | ayrıntılar |
|
SI5479DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET | - | 0 | ayrıntılar |