SI4434ADY-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 250V SO-8
SI4434ADY-T1-GE3 P1
SI4434ADY-T1-GE3 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Vishay Siliconix ~ SI4434ADY-T1-GE3

Parça numarası
SI4434ADY-T1-GE3
Üretici firma
Vishay Siliconix
Açıklama
MOSFET N-CHAN 250V SO-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- SI4434ADY-T1-GE3 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası SI4434ADY-T1-GE3
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 250V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 2.8A (Ta), 4.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 125V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 2.9W (Ta), 6W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi 8-SO
Paket / Durum 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ilgili ürünler

Tüm ürünler