Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3529DV-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N and P-Channel |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 2.5A, 1.95A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 20V |
| Maksimum güç | 1.4W |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3529DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |