Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI3475DV-T1-E3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 200V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 950mA (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 50V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 1.61 Ohm @ 900mA, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 6-TSOP |
| Paket / Durum | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473CDV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473CDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP | - | 412864 | ayrıntılar |
 |
SI3473DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3473DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3474DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6 | - | 6000 | ayrıntılar |
 |
SI3475DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI3476DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6 | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
SI3477DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP | - | 3000 | ayrıntılar |