Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI1405DL-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | P-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 8V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 1.6A (Ta) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Maks.) | ±8V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 568mW (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SC-70-6 (SOT-363) |
| Paket / Durum | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1400DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SI1400DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1401EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1402DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1402DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1403BDL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SI1403BDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 | - | 320066 | ayrıntılar |
 |
SI1403CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6 | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
SI1404BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1404BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1405BDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A SOT363 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1405BDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 | - | 0 | ayrıntılar |