Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SI1056X-T1-GE3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 20V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±8V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 236mW (Ta) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 89 mOhm @ 1.32A, 4.5V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SC-89-6 |
| Paket / Durum | SOT-563, SOT-666 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1050X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1050X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
SI1051X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1051X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1054X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1054X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1056X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1056X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC-89-6 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1058X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V SC89 | - | 0 | ayrıntılar |