Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | IRLD110PBF |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 1A (Ta) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Vgs (Maks.) | ±10V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 1.3W (Ta) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 5V |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj tipi | Through Hole |
Tedarikçi Aygıt Paketi | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paket / Durum | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |