Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N4150W-G3-18 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 50V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 200mA |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1V @ 200mA |
| hız | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 4ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 100nA @ 50V |
| Kapasitans @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SOD-123 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SOD-123 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 150°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4150 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N4150 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 20000 | ayrıntılar |
 |
1N4150-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 829 | ayrıntılar |
 |
1N4150TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N4150TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N4150TR_S00Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 | - | 10006 | ayrıntılar |
 |
1N4150UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA | - | 75 | ayrıntılar |
|
1N4150UR-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | - | 32 | ayrıntılar |
 |
1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 25073 | ayrıntılar |
 |
1N4150W-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 20000 | ayrıntılar |
 |
1N4150W-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N4150W-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | - | 0 | ayrıntılar |