Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | SCTW90N65G2V |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 650V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 90A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
Vgs (Maks.) | +22V, -10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 390W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Montaj tipi | Through Hole |
Tedarikçi Aygıt Paketi | HiP247™ |
Paket / Durum | TO-247-3 |