Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 1N5616C.TR |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Avalanche |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 400V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 2A |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.1V @ 1A |
| hız | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 2µs |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 500nA @ 400V |
| Kapasitans @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | Axial |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Axial |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -65°C ~ 175°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | - | 1 | ayrıntılar |
 |
1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | - | 1076 | ayrıntılar |
|
1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | - | 1014 | ayrıntılar |
 |
1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | - | 500 | ayrıntılar |
 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | 0 | ayrıntılar | |
 |
1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | - | 158 | ayrıntılar |
 |
1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | - | 150 | ayrıntılar |
 |
1N5615GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
|
1N5615GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |
 |
1N5615GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | - | 0 | ayrıntılar |