Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | BAS21VMFHTE-17 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Standard |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 200V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 200mA (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.25V @ 200mA |
| hız | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 50ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 100nA @ 200V |
| Kapasitans @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | SC-90, SOD-323F |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | UMD2 |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | 150°C (Max) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS21 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | - | 72000 | ayrıntılar |
 |
BAS21 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 | - | 1742332 | ayrıntılar |
 |
BAS21,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | 21000 | ayrıntılar | |
 |
BAS21,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | 0 | ayrıntılar | |
 |
BAS21-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAS21-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 45000 | ayrıntılar |
 |
BAS21-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 21000 | ayrıntılar |
 |
BAS21-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAS21-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAS21-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAS21-HE3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
BAS21-HE3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 | - | 0 | ayrıntılar |