Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | 2SK3666-4-TB-E |
|---|---|
| Parça Durumu | Not For New Designs |
| FET Tipi | N-Channel |
| Gerilim - Arıza (V (BR) GSS) | 30V |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - Drenaj (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 2.5mA @ 10V |
| Akım Boşaltma (Id) - Max | 10mA |
| Voltaj - Kesme (VGS kapalı) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Direnç - RDS (Açık) | 200 Ohm |
| Maksimum güç | 200mW |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | 3-CP |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK3662(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3666-2-TB-E | ON Semiconductor | JFET NCH 30V 200MW 3CP | - | 3000 | ayrıntılar |
 |
2SK3666-3-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | - | 12000 | ayrıntılar |
 |
2SK3666-4-TB-E | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 0.2W CP | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3670(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3670(T6CANO,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3670(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3670,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | ayrıntılar | |
 |
2SK3670,F(M | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH | 0 | ayrıntılar |