Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | JANTXV1N2806B |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Gerilim - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
| Hata payı | ±5% |
| Maksimum güç | 50W |
| Empedans (Maks.) (Zzt) | 0.4 Ohm |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 50µA @ 5.4V |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.5V @ 10A |
| Çalışma sıcaklığı | -65°C ~ 175°C |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-204AD |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-204AD (TO-3) |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | ayrıntılar |
 |
JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | ayrıntılar |
|
JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | ayrıntılar |