JAN1N5806URS

DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
JAN1N5806URS P1
JAN1N5806URS P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ JAN1N5806URS

Parça numarası
JAN1N5806URS
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- JAN1N5806URS PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası JAN1N5806URS
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 150V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 1A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 875mV @ 1A
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 25ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 1µA @ 150V
Kapasitans @ Vr, F 25pF @ 10V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SQ-MELF, A
Tedarikçi Aygıt Paketi A-MELF
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler