JAN1N5623US

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
JAN1N5623US P1
JAN1N5623US P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ JAN1N5623US

Parça numarası
JAN1N5623US
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- JAN1N5623US PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası JAN1N5623US
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 1000V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 1A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.6V @ 3A
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 500ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 500nA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F 15pF @ 12V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SQ-MELF, A
Tedarikçi Aygıt Paketi D-5A
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler