Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APTM60H23FT1G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Özelliği | Standard |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 20A |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 276 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 5316pF @ 25V |
| Maksimum güç | 208W |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis Mount |
| Paket / Durum | SP1 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SP1 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | 0 | ayrıntılar | |
|
APTM60A23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | 0 | ayrıntılar | |
|
APTM60H23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | 0 | ayrıntılar |