APTM20HM10FG

MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
APTM20HM10FG P1
APTM20HM10FG P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APTM20HM10FG

Parça numarası
APTM20HM10FG
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
MOSFET 4N-CH 200V 175A SP6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- APTM20HM10FG PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası APTM20HM10FG
Parça Durumu Active
FET Tipi 4 N-Channel (H-Bridge)
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 200V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 175A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
Maksimum güç 694W
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum SP6
Tedarikçi Aygıt Paketi SP6

ilgili ürünler

Tüm ürünler