APTM20DHM08G

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
APTM20DHM08G P1
APTM20DHM08G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APTM20DHM08G

Parça numarası
APTM20DHM08G
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- APTM20DHM08G PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Diziler
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası APTM20DHM08G
Parça Durumu Active
FET Tipi 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET Özelliği Standard
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 200V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 208A
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 25V
Maksimum güç 781W
Çalışma sıcaklığı -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Chassis Mount
Paket / Durum SP6
Tedarikçi Aygıt Paketi SP6

ilgili ürünler

Tüm ürünler