Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APT37M100B2

Parça numarası	APT37M100B2
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	1000V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	37A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	9835pF @ 25V
Vgs (Maks.)	±30V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	1135W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 18A, 10V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi	T-MAX™ [B2]
Paket / Durum	TO-247-3 Variant

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247		0	ayrıntılar
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	-	31	ayrıntılar
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	-	564	ayrıntılar
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	-	17	ayrıntılar
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	-	2903	ayrıntılar
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	-	0	ayrıntılar
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	125	ayrıntılar
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	0	ayrıntılar
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	-	77	ayrıntılar
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	-	3	ayrıntılar
APT30D30BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 300V 30A TO247	-	111	ayrıntılar
APT30D40BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247	-	4	ayrıntılar