Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ APT35SM70B

Parça numarası	APT35SM70B
Parça Durumu	Obsolete
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	SiCFET (Silicon Carbide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	700V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	145 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 20V
Vgs (Maks.)	+25V, -10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	1035pF @ 700V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	176W (Tc)
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi	Through Hole
Tedarikçi Aygıt Paketi	TO-247-3
Paket / Durum	TO-247-3

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247		0	ayrıntılar
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	-	31	ayrıntılar
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	-	564	ayrıntılar
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	-	17	ayrıntılar
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	-	2903	ayrıntılar
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	-	0	ayrıntılar
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	125	ayrıntılar
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	-	0	ayrıntılar
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	-	77	ayrıntılar
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	-	3	ayrıntılar
APT30D30BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 300V 30A TO247	-	111	ayrıntılar
APT30D40BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 400V 30A TO247	-	4	ayrıntılar