Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APT150GN60B2G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| IGBT Tipi | Trench Field Stop |
| Voltaj - Kollektör Verici Dağılımı (Maks.) | 600V |
| Akım - Kollektör (Ic) (Maks.) | 220A |
| Akım - Toplayıcı Darbeli (Icm) | 450A |
| Vce (açık) (Maks) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Maksimum güç | 536W |
| Anahtarlama Enerjisi | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Giriş tipi | Standard |
| Kapı Ücreti | 970nC |
| Td (açma / kapama) @ 25 ° C | 44ns/430ns |
| Test Durumu | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Geri Tutma Süresi (trr) | - |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-247-3 Variant |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | - |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | ayrıntılar |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | ayrıntılar |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | ayrıntılar |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | ayrıntılar |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | ayrıntılar |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | ayrıntılar |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | ayrıntılar |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | ayrıntılar |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | ayrıntılar |