1N5619US

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
1N5619US P1
1N5619US P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Microsemi Corporation ~ 1N5619US

Parça numarası
1N5619US
Üretici firma
Microsemi Corporation
Açıklama
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- 1N5619US PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası 1N5619US
Parça Durumu Active
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 600V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 1A
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.6V @ 3A
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 250ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 500nA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F 25pF @ 12V, 1MHz
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum SQ-MELF, A
Tedarikçi Aygıt Paketi D-5A
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -65°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler