Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | IXFN50N120SK |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 48A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
Vgs (Maks.) | +20V, -5V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | - |
Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montaj tipi | Chassis Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | SOT-227B |
Paket / Durum | SOT-227-4, miniBLOC |