Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SPD02N60S5BTMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 600V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 1.8A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 80µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 25W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO252-3 |
| Paket / Durum | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPD02N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
SPD02N50C3BTMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 0 | ayrıntılar | |
 |
SPD02N60C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SPD02N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
SPD02N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A 3TO252 | 0 | ayrıntılar | |
 |
SPD02N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | - | 0 | ayrıntılar |