Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | SIDC16D60SIC3 |
|---|---|
| Parça Durumu | Discontinued at Digi-Key |
| Diyot Türü | Silicon Carbide Schottky |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 600V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 5A (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.7V @ 5A |
| hız | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 0ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 200µA @ 600V |
| Kapasitans @ Vr, F | 170pF @ 1V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | Die |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Sawn on foil |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 175°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIDC105D120H8X1SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A WAFER | - | 4821 | ayrıntılar |
|
SIDC10D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | 0 | ayrıntılar | |
|
SIDC10D120H6X1SA5 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10362 | ayrıntılar |
|
SIDC10D120H8X1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 34124 | ayrıntılar |
|
SIDC110D170H | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIDC110D170HX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER | - | 10358 | ayrıntılar |
|
SIDC11D60SIC3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 600V 4A WAFER | 0 | ayrıntılar | |
|
SIDC14D120E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIDC14D120E6X1SA4 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | ayrıntılar |
|
SIDC14D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 0 | ayrıntılar |
|
SIDC14D120F6X1SA3 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER | - | 10355 | ayrıntılar |
|
SIDC14D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | 0 | ayrıntılar |