Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IRF6617TRPBF |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 30V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 14A (Ta), 55A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 15A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | DIRECTFET™ ST |
| Paket / Durum | DirectFET™ Isometric ST |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 2918 | ayrıntılar | |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 1911 | ayrıntılar | |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 0 | ayrıntılar | |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 262 | ayrıntılar |
 |
IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |