Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | IRF5803D2 |
---|---|
Parça Durumu | Obsolete |
FET Tipi | P-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 40V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 3.4A (Ta) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 25V |
Vgs (Maks.) | ±20V |
FET Özelliği | Schottky Diode (Isolated) |
Güç Dağılımı (Maks.) | 2W (Ta) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 112 mOhm @ 3.4A, 10V |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | 8-SO |
Paket / Durum | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |