Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IRF540NLPBF |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 33A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 130W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-262 |
| Paket / Durum | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 8110 | ayrıntılar |
 |
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 4528 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IRF520 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 0 | ayrıntılar | |
 |
IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | ayrıntılar |