Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPI045N10N3 G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 100A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 50V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 214W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO262-3 |
| Paket / Durum | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPI040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A | 1000 | ayrıntılar | |
 |
IPI041N12N3GAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IPI045N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 36 | ayrıntılar |
 |
IPI045N10N3GXK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 6845 | ayrıntılar |
 |
IPI045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | - | 18500 | ayrıntılar |
 |
IPI04CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPI04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-262 | 0 | ayrıntılar |