Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IPD70N04S3-07

Parça numarası	IPD70N04S3-07
Parça Durumu	Obsolete
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	40V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	82A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 25V
Vgs (Maks.)	±20V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	79W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 70A, 10V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	PG-TO252-3
Paket / Durum	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
IPD70N03S4L-04	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3	-	7500	ayrıntılar
IPD70N03S4L04ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3	-	148133	ayrıntılar
IPD70N04S3-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3	-	0	ayrıntılar
IPD70N10S312ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3	-	0	ayrıntılar
IPD70N10S3L-12	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3	-	0	ayrıntılar
IPD70N10S3L12ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3	-	0	ayrıntılar
IPD70N12S311ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH TO-252-3	-	0	ayrıntılar
IPD70N12S3L12ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CHANNEL_100+		0	ayrıntılar
IPD70P04P409ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH TO252-3		0	ayrıntılar
IPD70P04P4L08ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH TO252-3		0	ayrıntılar
IPD70R1K4CEAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3		0	ayrıntılar
IPD70R1K4P7SAUMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 700V 8.2A DPAK		0	ayrıntılar