Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | IPD65R650CEATMA1 |
---|---|
Parça Durumu | Not For New Designs |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 650V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 10.1A (Tc) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Vgs (Maks.) | ±20V |
FET Özelliği | Super Junction |
Güç Dağılımı (Maks.) | 86W (Tc) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO252-3 |
Paket / Durum | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |