Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPB26CN10NGATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 100V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 35A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2070pF @ 50V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 71W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 35A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO263-2 |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB26CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB26CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3 | 0 | ayrıntılar |