Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IPB097N08N3 G |
|---|---|
| Parça Durumu | Obsolete |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 80V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 70A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 40V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 100W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 46A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-TO263-2 |
| Paket / Durum | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 | - | 127727 | ayrıntılar |
 |
IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB096N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB09N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | 0 | ayrıntılar | |
 |
IPB09N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | 0 | ayrıntılar |