Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IDC08S120EX7SA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Last Time Buy |
| Diyot Türü | Silicon Carbide Schottky |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 1200V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | 7.5A (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.8V @ 7.5A |
| hız | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 0ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 180µA @ 1200V |
| Kapasitans @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Paket / Durum | Die |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | Sawn on foil |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 175°C |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IDC08D120T6MX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER | - | 43906 | ayrıntılar |
|
IDC08S120EX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE | 0 | ayrıntılar | |
|
IDC08S120EX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 1200V 7.5A DIE | - | 0 | ayrıntılar |
|
IDC08S60CEX1SA2 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER | 0 | ayrıntılar | |
|
IDC08S60CEX1SA3 | Infineon Technologies | DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER | 0 | ayrıntılar | |
|
IDC08S60CEX7SA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER | 0 | ayrıntılar |