IDB09E60ATMA1

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
IDB09E60ATMA1 P1
IDB09E60ATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ IDB09E60ATMA1

Parça numarası
IDB09E60ATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- IDB09E60ATMA1 PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Doğrultucular - Tek
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası IDB09E60ATMA1
Parça Durumu Obsolete
Diyot Türü Standard
Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) 600V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 19.3A (DC)
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 2V @ 9A
hız Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Tutma Süresi (trr) 75ns
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 50µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F -
Montaj tipi Surface Mount
Paket / Durum TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TO263-3
Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı -55°C ~ 175°C

ilgili ürünler

Tüm ürünler