Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | IAUS165N08S5N029ATMA1 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 80V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 165A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 6370pF @ 40V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 167W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | PG-HSOG-8-1 |
| Paket / Durum | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IAUS165N08S5N029ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1 | - | 30136 | ayrıntılar |