Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
---|---|
Parça Durumu | Obsolete |
FET Tipi | 2 N-Channel (Dual) |
FET Özelliği | Silicon Carbide (SiC) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 50A |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 5V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 800V |
Maksimum güç | 20mW |
Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj tipi | Chassis Mount |
Paket / Durum | Module |
Tedarikçi Aygıt Paketi | Module |