BSC123N10LSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
BSC123N10LSGATMA1 P1
BSC123N10LSGATMA1 P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Infineon Technologies ~ BSC123N10LSGATMA1

Parça numarası
BSC123N10LSGATMA1
Üretici firma
Infineon Technologies
Açıklama
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
- BSC123N10LSGATMA1 PDF online browsing
Aile
Transistörler - FET'ler, MOSFET'ler - Tekli
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası BSC123N10LSGATMA1
Parça Durumu Active
FET Tipi N-Channel
teknoloji MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) 100V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 72µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 50V
Vgs (Maks.) ±20V
FET Özelliği -
Güç Dağılımı (Maks.) 114W (Tc)
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 50A, 10V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi PG-TDSON-8
Paket / Durum 8-PowerTDFN

ilgili ürünler

Tüm ürünler