Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | GA20JT12-263 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | - |
teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 45A (Tc) |
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
Vgs (Maks.) | - |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 282W (Tc) |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
Çalışma sıcaklığı | 175°C (TJ) |
Montaj tipi | - |
Tedarikçi Aygıt Paketi | - |
Paket / Durum | - |