Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | FDI030N06 |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| FET Tipi | N-Channel |
| teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 60V |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 120A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 9815pF @ 25V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Dağılımı (Maks.) | 231W (Tc) |
| Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 75A, 10V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | I2PAK (TO-262) |
| Paket / Durum | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDI025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 265A TO-262 | 0 | ayrıntılar | |
 |
FDI030N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | - | 835 | ayrıntılar |
 |
FDI038AN06A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB | - | 780 | ayrıntılar |
|
FDI040N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK | - | 0 | ayrıntılar |
|
FDI045N10A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 14255 | ayrıntılar |
 |
FDI045N10A_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 | - | 1908 | ayrıntılar |
|
FDI047AN08A0 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB | - | 0 | ayrıntılar |
 |
FDI10-250Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 0 | ayrıntılar |
|
FDI14-187Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 0 | ayrıntılar |
 |
FDI14-250C | 3M | CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 | 0 | ayrıntılar | |
 |
FDI14-250Q | 3M | FM DISCONNECT FULLY NYLON INS | - | 39 | ayrıntılar |