Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Diodes Incorporated ~ DMN31D6UT-13

Parça numarası	DMN31D6UT-13
Parça Durumu	Active
FET Tipi	N-Channel
teknoloji	MOSFET (Metal Oxide)
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss)	30V
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id)	350mA (Ta)
Sürücü Gerilimi (Maks Rd Açık, Min Rd Açık)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.35nC @ 4.5V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds	13.6pF @ 15V
Vgs (Maks.)	±12V
FET Özelliği	-
Güç Dağılımı (Maks.)	320mW
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Çalışma sıcaklığı	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi	Surface Mount
Tedarikçi Aygıt Paketi	SOT-523
Paket / Durum	SOT-523

Parça numarası	Üreticiler	Açıklama	PDF	Stokta var	Görünüm
DMN3005LK3-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L	-	0	ayrıntılar
DMN3007LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	-	0	ayrıntılar
DMN3007LSSQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8		0	ayrıntılar
DMN3008SCP10-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415	-	1626000	ayrıntılar
DMN3008SFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFG-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3008SFGQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI	-	0	ayrıntılar
DMN3009LFV-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	ayrıntılar
DMN3009LFV-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	-	326153	ayrıntılar
DMN3009LFVW-13	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	ayrıntılar
DMN3009LFVW-7	Diodes Incorporated	MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8	-	239421	ayrıntılar