MB10M-G

BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM
MB10M-G P1
MB10M-G P1
Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.

Comchip Technology ~ MB10M-G

Parça numarası
MB10M-G
Üretici firma
Comchip Technology
Açıklama
BRIDGE DIODE GPP 0.8A 1000V MBM
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Veri Sayfası
MB10M-G.pdf MB10M-G PDF online browsing
Aile
Diyotlar - Köprü Doğrultucular
  • Stokta $ Adet Adet
  • Referans fiyatı : submit a request

Görüntülenenlerden daha büyük miktarlarda Teklif İsteği gönderin.

Ürün parametresi

Tüm ürünler

Parça numarası MB10M-G
Parça Durumu Active
Diyot Türü Single Phase
teknoloji Standard
Gerilim - Tepe Geriye (Maks) 1000V
Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) 800mA
Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If 1.1V @ 800mA
Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr 5µA @ 1000V
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Through Hole
Paket / Durum MBM
Tedarikçi Aygıt Paketi MBM

ilgili ürünler

Tüm ürünler