Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | CDBGBSC201200-G |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Konfigürasyonu | 1 Pair Common Cathode |
| Diyot Türü | Silicon Carbide Schottky |
| Gerilim - DC Geri (Vr) (Maks) | 1200V |
| Akım - Ortalama Doğrultulmuş (Io) (Diyot Başına) | 25.9A (DC) |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.8V @ 10A |
| hız | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Geri Tutma Süresi (trr) | 0ns |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Çalışma Sıcaklığı - Bağlantı | -55°C ~ 175°C |
| Montaj tipi | Through Hole |
| Paket / Durum | TO-247-3 |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | TO-247 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
CDBGBSC101200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 9432 | ayrıntılar |
|
CDBGBSC201200-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 4851 | ayrıntılar |
|
CDBGBSC20650-G | Comchip Technology | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER | - | 12870 | ayrıntılar |