VS-GP100TS60SFPBF

IGBT
VS-GP100TS60SFPBF P1
VS-GP100TS60SFPBF P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GP100TS60SFPBF

номер части
VS-GP100TS60SFPBF
производитель
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание
IGBT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- VS-GP100TS60SFPBF PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части VS-GP100TS60SFPBF
Статус детали Active
Тип IGBT PT, Trench
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 337A
Мощность - макс. 781W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.34V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 150µA
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол INT-A-Pak
Пакет устройств поставщика INT-A-PAK

сопутствующие товары

Все продукты