SUP60N06-12P-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
SUP60N06-12P-GE3 P1
SUP60N06-12P-GE3 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Vishay Siliconix ~ SUP60N06-12P-GE3

номер части
SUP60N06-12P-GE3
производитель
Vishay Siliconix
Описание
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- SUP60N06-12P-GE3 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части SUP60N06-12P-GE3
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1970pF @ 30V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Упаковка / чехол TO-220-3

сопутствующие товары

Все продукты