номер части | SISH129DN-T1-GE3 |
---|---|
Статус детали | Active |
Тип полевого транзистора | P-Channel |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) | 30V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 14.4A (Ta), 35A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Макс.) | ±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 3345pF @ 15V |
Функция FET | - |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
Рабочая Температура | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8SH |
Упаковка / чехол | PowerPAK® 1212-8SH |